[发明专利]电子器件

摘要

一种用于制作包含双堤井限定结构的电子器件的方法，该方法包括：提供电子基板；在基板上沉积第一绝缘材料以形成第一绝缘层；在第一绝缘层上沉积第二绝缘材料以形成第二绝缘层；去除第二绝缘层的一部分以使第一绝缘层的一部分露出以及形成第二井限定堤；在第二绝缘层上以及在所露出的第一绝缘层的一部分上沉积抗蚀剂；去除第一绝缘层中没有抗蚀剂覆盖的部分，以使电子基板的一部分露出以及在第二井限定堤之内形成第一井限定堤；以及去除抗蚀剂。该方法能够提供具有降低的漏电流的器件。

主权项

一种用于制造包含双堤井限定结构的电子器件的方法，所述方法包括：（a）提供电子基板；（b）在所述基板上沉积第一绝缘材料以形成第一绝缘层；（c）在所述第一绝缘层上沉积第二绝缘材料以形成第二绝缘层；（d）去除所述第二绝缘层的一部分以暴露所述第一绝缘层的一部分并形成第二井限定堤；（e）在所述第二绝缘层上和在所暴露的第一绝缘层的一部分上沉积抗蚀剂；（f）去除所述第一绝缘层中没有被所述抗蚀剂覆盖的部分，以暴露所述电子基板的一部分并在所述第二井限定堤内形成第一井限定堤；以及（g）去除所述抗蚀剂。