[发明专利]外延硅芯片的制造方法有效
| 申请号： | 201080052898.7 | 申请日： | 2010-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN102640261A | 公开（公告）日： | 2012-08-15 |
| 发明（设计）人： | 吉田知佐 | 申请（专利权）人： | 信越半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;C30B29/06;H01L21/20 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 宋晓宝;郭晓东 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明是一种外延硅芯片的制造方法，其进行成膜工序及冷却工序；所述成膜工序，是一边供给原料气体，一边于氢气气氛中使单晶硅薄膜在单晶硅基板上气相成长；所述冷却工序，是先算出在单晶硅薄膜中所存在的评价对象不纯物的浓度的规格值或工序平均值与评价对象不纯物的固溶临界浓度一致时的温度，并在算出温度的至少上下50℃的温度范围内，将外延硅芯片的成膜后的冷却速度设为小于20℃/sec，来冷却已通过成膜工序形成单晶硅薄膜后的外延硅芯片。藉此，能提供一种外延硅芯片的制造方法，其能得到一种外延硅芯片，在该外延硅芯片所含有的重金属不纯物，特别是器件有源层也就是单晶硅薄膜的表层区域的不纯物浓度比先前低，且具有优良的器件特性。 | ||
| 搜索关键词： | 外延 芯片 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种外延硅芯片的制造方法，是制造外延硅芯片的方法，其特征在于进行成膜工序及冷却工序；所述成膜工序，是一边供给原料气体，一边于氢气气氛中使单晶硅薄膜在单晶硅基板上气相成长；所述冷却工序，是先算出在前述单晶硅薄膜中所存在的评价对象不纯物的浓度的规格值或工序平均值与前述评价对象不纯物的固相临界浓度一致时的温度，并在算出温度的至少上下50℃的温度范围内，将前述外延硅芯片的成膜后的冷却速度设为小于20℃/sec，来冷却已通过该成膜工序形成前述单晶硅薄膜后的外延硅芯片。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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