[发明专利]集成存储器阵列及形成存储器阵列的方法

摘要

一些实施例包含形成存储器阵列的方法。可图案化半导体材料板的堆叠以将所述板细分成若干片。可沿着所述片的侧壁边缘形成导电层。接着，可将所述片图案化成导线阵列，其中所述阵列具有若干垂直列及水平行。个别导线可具有接合到所述导电层的第一端、可具有与所述第一端成相对关系的第二端，且可具有位于所述第一与第二端之间的中间区。可沿着所述中间区形成栅极材料。可在所述导线的所述第二端处形成存储器单元结构。可经由所述存储器单元结构将多个垂直延伸电互连件连接到所述导线，其中个别垂直延伸电互连件沿着所述阵列的个别列。一些实施例包含并入到集成电路中的存储器阵列。

主权项

一种形成存储器阵列的方法，其包括：形成包括垂直间隔开的半导体材料板的堆叠；蚀刻穿过所述板以将所述板细分成若干平面片；沿着所述平面片的侧壁边缘且与所述平面片的侧壁边缘电连接地形成水平延伸导电层；将所述平面片图案化成导线阵列；所述阵列包括若干垂直列及水平行；所述导电层互连所述阵列的个别行的导线；个别导线具有接合到所述导电层的第一端、具有与所述第一端成相对关系的第二端，且具有位于所述第一与第二端之间的中间区；沿着所述导线的所述中间区形成至少一种栅极材料；在所述导线的所述第二端处形成存储器单元结构；及形成经由所述存储器单元结构连接到所述导线的多个垂直延伸电互连件；个别垂直延伸电互连件沿着所述阵列的个别列。