[发明专利]用于II-VI族半导体的新型湿蚀刻剂及方法无效
| 申请号： | 201080052312.7 | 申请日： | 2010-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN102668044A | 公开（公告）日： | 2012-09-12 |
| 发明（设计）人： | 毛国平;迈克尔·W·本奇;裘再明;孙晓光 | 申请（专利权）人： | 3M创新有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 张爽;樊卫民 |
| 地址： | 美国明*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供了一种新型蚀刻II-VI族半导体的蚀刻剂。该蚀刻剂包括高锰酸钾和磷酸的水溶液。该蚀刻溶液可以以较快速度蚀刻II-VI族半导体，但往往与III-V族半导体更不易反应。所提供的试剂可用于蚀刻II-VI族半导体的方法中。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 ii vi 半导体 新型 蚀刻 方法 | ||
【主权项】：
一种蚀刻半导体的方法，所述方法包括：使II‑VI族半导体的表面的至少一部分与包含高锰酸钾和磷酸的蚀刻剂接触；从与所述蚀刻剂的接触位置移除所述II‑VI族半导体的至少一部分以形成蚀刻的II‑VI族半导体；以及冲洗所述蚀刻的II‑VI族半导体以移除所述蚀刻剂。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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