[发明专利]CZTS/Se前体油墨及用于制备CZTS/Se薄膜和基于CZTS/Se的光伏电池的方法无效
申请号: | 201080052101.3 | 申请日: | 2010-05-21 |
公开(公告)号: | CN102668021A | 公开(公告)日: | 2012-09-12 |
发明(设计)人: | 曹炎炎 | 申请(专利权)人: | E·I·内穆尔杜邦公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/368 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 朱黎明 |
地址: | 美国特*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及可用作铜锌锡硫属元素化物前体油墨的涂覆的二元和三元纳米颗粒硫属元素化物组合物。此外,本发明提供用于制造铜锌锡硫属元素化物薄膜及掺入了此类薄膜的光伏电池的方法。 | ||
搜索关键词: | czts se 油墨 用于 制备 薄膜 基于 电池 方法 | ||
【主权项】:
组合物,包含:a)流体介质;b)涂覆的含铜硫属元素化物纳米颗粒;c)涂覆的含锡硫属元素化物纳米颗粒;和d)涂覆的含锌硫属元素化物纳米颗粒,其中所述硫属元素化物为硫化物或硒化物,并且所述组合物中Cu∶Zn∶Sn∶(S+Se)的摩尔比为约2∶1∶1∶4。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于E·I·内穆尔杜邦公司,未经E·I·内穆尔杜邦公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201080052101.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造