[发明专利]不对称外延生长及其应用

摘要

本发明提供一种形成不对称场效晶体管的方法。该方法包括在半导体基板的顶上形成栅极结构，该栅极结构包括栅极堆叠和邻近于栅极堆叠侧壁的间隔体，且该栅极堆叠具有第一侧以及与第一侧相对的第二侧；从栅极结构的第一侧在基板中执行成角度的离子注入，从而形成邻近于第一侧的离子注入区，其中栅极结构防止成角度的离子注入到达邻近于栅极结构的第二侧的基板；以及在栅极结构的第一侧和第二侧在基板上执行外延生长。因此，离子注入区上的外延生长比未经历离子注入的区域慢得多。由外延生长在栅极结构的第二侧形成的源极区的高度高于由外延生长在栅极结构的第一侧形成的漏极区的高度。还提供一种由此形成的半导体结构。

主权项

一种方法，包括：在半导体基板（110、212/211）的顶上形成栅极结构，所述栅极结构包括栅极堆叠（120、220）和邻近于所述栅极堆叠的侧壁的多个间隔体（131/132、231/232），且所述栅极结构具有第一侧以及与所述第一侧相对的第二侧；从所述栅极结构的所述第一侧在所述基板中执行成角度的离子注入（170、270），从而形成邻近于所述第一侧的离子注入区（114、216），其中所述栅极结构防止所述成角度的离子注入到达邻近于所述栅极结构的所述第二侧的所述基板；以及在所述栅极结构的该第一侧和第二侧在所述基板上执行外延生长（180、280）。