[发明专利]具有采用水平电场的光传感器的光学装置有效
申请号: | 201080050030.3 | 申请日: | 2010-08-25 |
公开(公告)号: | CN102696113A | 公开(公告)日: | 2012-09-26 |
发明(设计)人: | 廖世蓉;郑大卫;龚正致;M.阿斯哈里 | 申请(专利权)人: | 科途嘉光电公司 |
主分类号: | H01L31/0232 | 分类号: | H01L31/0232 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 彭武;杨炯 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 该装置包括在基底上的光学波导。该波导被配置为引导光信号穿过光透射介质。光传感器也定位于基底上。光传感器包括从平板区域延伸的脊。平板区域定位于脊的相对侧上。光吸收介质被定位成从包括于波导中的光透射介质接收光信号的至少一部分。光吸收介质包括于脊中且也在平板区域中。光吸收介质包括掺杂区域,掺杂区域被定位成使得跨越整个掺杂区域上施加反向偏压在包括于该脊中的光吸收介质中形成电场。 | ||
搜索关键词: | 具有 采用 水平 电场 传感器 光学 装置 | ||
【主权项】:
一种光学装置,包括:在基底上的波导,所述波导配置为用以引导光信号穿过光透射介质;以及位于所述基底上的光传感器,所述光传感器包括: 脊,其从平板区域延伸,所述平板区域在所述脊的相对侧上; 光吸收介质,其定位成用以从所述波导中的光透射介质接收所述光信号的至少一部分, 所述光吸收介质包括于所述脊中,且也包括于所述平板区域中, 所述光透射介质和所述光吸收介质为不同材料, 所述光吸收介质包括掺杂区域,所述掺杂区域定位成用以使得:在所述掺杂区域之间施加反向偏压形成了在包括于所述脊中的所述光吸收介质中的电场。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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