[发明专利]N型硫属化物组合物的制备以及它们在光伏器件中的使用有效
| 申请号: | 201080049999.9 | 申请日: | 2010-10-26 |
| 公开(公告)号: | CN102598312A | 公开(公告)日: | 2012-07-18 |
| 发明(设计)人: | 托德·R·布里登;巴福德·I·莱蒙;约瑟夫·乔治;丽贝卡·克里斯汀-里格曼·费斯特 | 申请(专利权)人: | 陶氏环球技术有限责任公司 |
| 主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
| 代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 陈平 |
| 地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 在氧化性气体的存在下在基板上设置n型硫属化物组合物层,所述氧化性气体的量足以对于所述层提供这样的电阻率:所述电阻率低于在相同的条件下但是在基本上不存在氧的情况下沉积的层的电阻率。 | ||
| 搜索关键词: | 型硫属化物 组合 制备 以及 它们 器件 中的 使用 | ||
【主权项】:
一种制备n型硫属化物组合物的方法,所述方法包括以下步骤:提供基板;和在包含氧化性气体以及任选地至少一种其他气体的氧化性气氛中,在所述基板的表面上形成n型硫属化物组合物,其中所述氧化性气体以使得如下的量存在:所形成的n型组合物的电阻率低于在其他方面相同的工艺中但是在基本上不存在所述氧化性气体的情况下形成的n型硫属化物组合物的电阻率。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





