[发明专利]用于高真空室的穿入式等离子体发生器无效

专利信息
申请号: 201080048890.3 申请日: 2010-08-29
公开(公告)号: CN102598201A 公开(公告)日: 2012-07-18
发明(设计)人: 摩西·埃纳威 申请(专利权)人: 摩赛科结晶公司
主分类号: H01J37/32 分类号: H01J37/32
代理公司: 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 代理人: 张浴月;张志杰
地址: 以色列海尔*** 国省代码: 以色列;IL
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摘要: 等离子体发生器,包括:高真空处理室;变压器型等离子管,与所述高真空处理室耦接;以及至少一个气体源,与所述变压器型等离子管耦接,用于引入至少一种气体到所述变压器型等离子管中,所述高真空处理室包括至少一个入口,所述变压器型等离子管包括:射频功率源,用于产生交变电力;多个导体,与所述射频功率源耦接;闭合回路放电室,用于限制所述气体;多个高磁导率磁芯,围绕所述闭合回路放电室的在外部分耦接并与所述多个导体耦接;多个开孔,沿所述闭合回路放电室的在内部分设置;以及至少两个介电垫圈,用于将所述在内部分与所述在外部分耦接,其中所述入口配置为接收所述在内部分,以使得所述在内部分物理地穿入所述高真空处理室,所述多个导体形成围绕所述多个高磁导率磁芯的初级绕组,所述闭合回路放电室中的气体形成围绕所述多个高磁导率磁芯的次级绕组,其中在所述多个导体被提供有所述交变电力时,所述变压器型等离子管激发所述气体成为至少一种相应等离子体,并且所述多个开孔从所述在内部分释放所述相应等离子体到所述高真空处理室中。
搜索关键词: 用于 真空 穿入 等离子体 发生器
【主权项】:
一种等离子体发生器,包括:高真空处理室;变压器型等离子管,与所述高真空处理室耦接;以及至少一个气体源,与所述变压器型等离子管耦接,用于引入至少一种气体到所述变压器型等离子管中,所述高真空处理室包括至少一个入口,所述变压器型等离子管包括:射频功率源,用于产生交变电力;多个导体,与所述射频功率源耦接;闭合回路放电室,用于限制所述至少一种气体;多个高磁导率磁芯,围绕所述闭合回路放电室的在外部分耦接并与所述多个导体耦接;多个开孔,沿所述闭合回路放电室的在内部分设置;以及至少两个介电垫圈,用于将所述在内部分与所述在外部分耦接,所述至少一个入口配置为接收所述在内部分,以使得所述在内部分物理地穿入所述高真空处理室,所述多个导体形成围绕所述多个高磁导率磁芯的初级绕组,所述闭合回路放电室中的所述至少一种气体形成围绕所述多个高磁导率磁芯的次级绕组,在所述多个导体被提供有所述交变电力时,所述变压器型等离子管激发所述至少一种气体成为至少一种相应等离子体,以及所述多个开孔从所述在内部分释放所述至少一种相应等离子体到所述高真空处理室中。
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