[发明专利]用于硅太阳能电池的改善的金属化方法有效
| 申请号： | 201080048559.1 | 申请日： | 2010-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN102612735A | 公开（公告）日： | 2012-07-25 |
| 发明（设计）人： | 斯图尔特·罗斯·文哈姆;布迪·桑托索·特亚赫约诺;妮科尔·比安卡·奎伯;艾利森·琼·雷诺 | 申请（专利权）人： | 新南创新私人有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 李丙林;张英 |
| 地址： | 澳大利亚新*** | 国省代码： | 澳大利亚;AU |
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| 摘要： | 提供了一种在硅太阳能电池的表面发射极上形成接触部的方法。在该方法中，进行表面的n型扩散以形成具有10-40Ω/ζ的薄层电阻的掺杂的发射极表面层。然后回蚀刻该发射极表面层以增加发射极表面层的薄层电阻。最后该表面被选择性镀覆。一种制造硅太阳能电池的方法包括进行n型掺杂剂的前表面发射极扩散，然后通过PECVD在前表面上进行电介质沉积。该电介质沉积包括：a.薄硅氧化物的生长；b.氮化硅的PECVD沉积以获得氮化硅。然后该硅被退火以驱使氢从氮化硅层进入硅中从而钝化该硅。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 太阳能电池 改善 金属化 方法 | ||
【主权项】：
一种在硅太阳能电池的表面发射极上形成接触部的方法，所述方法包括：表面的n型扩散以形成具有10‑40Ω/□的薄层电阻的掺杂发射极表面层；回蚀刻所述发射极表面层以增加所述发射极表面层的薄层电阻；以及选择性镀覆所述表面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
