[发明专利]用于薄膜太阳能电池形成的硅墨水、对应方法和太阳能电池结构有效
| 申请号: | 201080048224.X | 申请日: | 2010-09-21 |
| 公开(公告)号: | CN102668115A | 公开(公告)日: | 2012-09-12 |
| 发明(设计)人: | 刘国钧;克利福德·M·莫里斯;伊戈尔·奥尔特曼;乌马·斯里尼瓦桑;希夫库马尔·基鲁沃卢 | 申请(专利权)人: | 纳克公司 |
| 主分类号: | H01L31/042 | 分类号: | H01L31/042;H01L31/0216 |
| 代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 沈锦华 |
| 地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 本发明提供了一种高品质硅墨水,用于形成具有p-n结的薄膜太阳能电池内的多晶层。可烧结随墨水沉积的粒子以形成硅膜,该硅膜可为本征膜或掺杂膜。硅墨水可具有不超过约250nm的z平均二次粒径,该粒径通过对墨水样品进行动态光散射来测定,如墨水最初具有较大浓度可稀释到0.4重量百分比。在一些实施例中,本征层可为非晶硅部分与晶体硅部分的复合物。 | ||
| 搜索关键词: | 用于 薄膜 太阳能电池 形成 墨水 对应 方法 结构 | ||
【主权项】:
一种用于形成薄膜太阳能电池结构的方法,其包含:沉积一层包含元素硅粒子的墨水,所述墨水具有不超过约250nm的z平均二次粒径,所述粒径通过对墨水样品进行动态光散射来测定,如墨水最初具有较大浓度可稀释到0.4重量百分比;以及烧结所述元素硅粒子以形成多晶层作为p‑n结二极管结构的元件,所述总体结构包含p掺杂元素硅层和n掺杂元素硅层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于纳克公司,未经纳克公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201080048224.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:槲皮素-3-O-酰基酯及其制备方法
- 下一篇:电抗器和电抗器的制造方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





