[发明专利]碳化硅半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201080040910.2 | 申请日： | 2010-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN102859661A | 公开（公告）日： | 2013-01-02 |
| 发明（设计）人： | 玉祖秀人 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/337;H01L29/417;H01L29/78;H01L29/808;H01L29/861 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 韩峰;孙志湧 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了包括欧姆电极的碳化硅半导体器件以及制造这种碳化硅半导体器件的方法，所述欧姆电极通过在不形成肖特基接触的情况下抑制碳沉积来实现与布线的粘附性的提高。具体地，在针对SiC半导体器件形成欧姆电极时，在SiC层(11)的一个主表面上形成由第一金属元素形成的第一金属层(12)。其间，在第一金属层的表面上形成由Si形成的Si层(13)，所述表面位于面对SiC层(11)的表面的相反侧上。由此形成的层压结构(10A)经受热处理。因此，可以在抑制电极的表面层上沉积碳原子以及在Si和SiC之间形成肖特基接触的同时得到包括具有与布线的良好粘附性的欧姆电极的碳化硅半导体器件。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种制造具有欧姆电极的碳化硅半导体器件的方法，包括如下步骤：形成由碳化硅制成的SiC层(11)(S20)；在所述SiC层(11)的一个主表面上形成第一金属层(12)(S30)，所述第一金属层(12)由一个第一金属元素制成并且不含有碳原子；在所述第一金属层(12)的与其面对所述SiC层(11)的表面相反的表面上形成Si层(13，15，27)(S40)，所述Si层(13，15，27)由硅制成并且不含有碳原子；以及对所述SiC层(11)、所述第一金属层(12)和所述Si层(13)进行热处理以形成欧姆电极(S50)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
