[发明专利]利用光学吸收边波长测量薄膜的温度

摘要

本发明提供了一种确定样品温度的方法，样品包括沉积在透明基底(22)上的半导体薄膜(20)，所述半导体薄膜具有可测量光学吸收边，所述透明基底材料没有可测量光学吸收边，例如沉积在Al2O3基底(22)上用作蓝白发光二极管的GaN薄膜(20)。随着薄膜(20)的生长和增厚，可以实时测量温度。基于每个厚度增量的薄膜(20)发出的漫散射光产生光谱。对每个光谱使用参考光谱相除以校准设备产品。根据光谱确定薄膜(20)的厚度和光学吸收边的波长值。利用光谱、厚度校准表、温度校准表，根据光学吸收边波长和薄膜(20)的厚度来确定薄膜(20)的温度。

主权项

一种沉积在基底材料上的半导体薄膜温度的确定方法，半导体薄膜有可测量光学吸收边，基底材料没有可测量光学吸收边，其特征在于，所述方法包含以下步骤：a)提供没有可测量光学吸收边的材料的基底，b)在基底上沉积有可测量光学吸收边和可测量厚度的半导体材料的薄膜，c)使光与沉积在基底上的薄膜相互作用以产生漫散射光，d)采集薄膜的漫散射光，e)基于薄膜的漫散射光，产生显示薄膜光学吸收的光谱，f)确定薄膜的厚度，g)基于光谱，确定薄膜的光学吸收边波长，以及h)在某一薄膜厚度下，根据薄膜厚度和光学吸收边波长确定薄膜的温度。