[发明专利]外延硅晶片的制造方法有效
| 申请号： | 201080036536.9 | 申请日： | 2010-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN102498545A | 公开（公告）日： | 2012-06-13 |
| 发明（设计）人： | 樫野久寿;黛雅典 | 申请（专利权）人： | 信越半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;C23C16/24 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 崔香丹;张永康 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明是一种外延硅晶片的制造方法，所述外延硅晶片的制造方法是在将单晶硅切片而获得的硅晶片表面上形成外延层，从而制造外延硅晶片的方法，所述外延硅晶片的制造方法的特征在于，至少，对掺杂砷并使电阻率为1.0～1.7mΩcm的单晶硅进行切片而获得硅晶片，通过在850～1200℃下对该硅晶片进行热处理，使其产生凹穴，并通过对该经热处理的硅晶片进行镜面研磨，去除所述产生的凹穴，然后，在该经镜面研磨的硅晶片表面上形成外延层。其目的在于提供一种外延硅晶片的制造方法，如此一来，当在掺杂有砷的低电阻硅晶片上进行外延生长时，利用简易的方法，可以防止产生堆垛层错。 | ||
| 搜索关键词： | 外延 晶片 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种外延硅晶片的制造方法，其是在将单晶硅切片而获得的硅晶片表面上形成外延层从而制造外延硅晶片的方法，其特征在于，至少，对掺杂砷并使电阻率为1.0～1.7mΩcm的单晶硅进行切片而获得硅晶片，通过在850～1200℃下对该硅晶片进行热处理，使该硅晶片产生凹穴，并通过对该经热处理的硅晶片进行镜面研磨，去除所述产生的凹穴，然后，在该经镜面研磨的硅晶片表面上形成外延层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
