[发明专利]光电转换装置和其制造方法无效
| 申请号： | 201080035878.9 | 申请日： | 2010-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN102473759A | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | 国井稔枝;松本光弘 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/04 | 分类号： | H01L31/04;C23C16/24;H01L21/205;H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 使光电转换装置的面板面内的光电转换效率的分散变小。在包括微晶硅光电转换元件(104)的光电转换装置的制造方法中，包括形成i型层(42)的工序，该工序形成第一i型层(42a)，而且在第一i型层(42a)上按照与第一i型层(42a)相比结晶率高且结晶率的面内分布变低的条件形成第二i型层(42b)，其中所述微晶硅光电转换元件(104)具备p型层(40)、i型层(42)和n型层(44)的层叠结构，所述i型层包括成为发电层的微晶硅层。 | ||
| 搜索关键词： | 光电 转换 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种光电转换装置的制造方法，所述光电转换装置具备p型层、i型层和n型层的层叠结构，所述i型层包括成为发电层的微晶硅层，所述光电转换装置的制造方法的特征在于：包括形成所述i型层的工序，所述工序形成第一微晶硅层，并且在所述第一微晶硅层上，以与所述第一微晶硅层相比结晶率高且结晶率的面内分布低的条件形成第二微晶硅层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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