[发明专利]量测方法和设备、光刻系统以及光刻处理单元

摘要

在确定在光刻过程中使用的光刻设备在衬底上的聚焦量的方法中，光刻过程被用于在衬底上形成结构，所述结构具有至少一个特征，所述至少一个特征在所印刷的轮廓中具有作为光刻设备在衬底上的聚焦量的函数而变化的不对称度。周期结构的第一图像在用第一辐射束照射所述结构的同时被形成和检测，使用非零级衍射辐射的第一部分形成所述第一图像。周期结构的第二图像在用第二辐射束照射所述结构的同时被形成和检测。使用非零级衍射辐射的与衍射光谱中的第一部分对称地相对的第二部分形成所述第二图像。测量的光谱的第一部分和第二部分强度的比值被确定并且用以确定周期结构的轮廓中的不对称度和/或提供衬底上的聚焦量的指示。在相同仪器中，跨过被检测部分的强度变化被确定为跨过结构的过程引起的变化的测量。结构的具有不期望的过程变化的区域可以被识别并且被排除到结构测量之外。

主权项

一种确定在光刻过程中使用的光刻设备在衬底上的聚焦量的方法，所述方法包括下列步骤：使用光刻过程在衬底上形成结构，所述结构具有至少一个特征，所述至少一个特征的轮廓具有不对称度，所述不对称度依赖于光刻设备在衬底上的聚焦量；第一测量步骤，包括在用第一辐射束照射所述结构的同时形成和检测周期结构的第一图像，所述第一图像使用非零级衍射辐射的第一部分形成而排除零级衍射辐射；第二测量步骤，包括在用第二辐射束照射所述结构的同时形成和检测周期结构的第二图像，所述第二图像使用非零级衍射辐射的第二部分形成，所述第二部分与所述第一部分在衍射光谱中是对称地相对的；和使用在第一和第二测量步骤中检测的第一和第二图像来确定周期结构的轮廓中的不对称度和/或提供衬底上的聚焦量的指示。