[发明专利]LED芯片接合体、LED封装体、及LED封装体的制造方法有效
| 申请号： | 201080033749.6 | 申请日： | 2010-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN102473829A | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | 日隈智志;广津留秀树;成田真也 | 申请（专利权）人： | 电气化学工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/62 | 分类号： | H01L33/62;H01L23/373;H01L33/64 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 张鑫 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供散热性得到显著改善的可靠性高的LED封装体、LED封装体的制造方法、以及在该LED封装体中使用的LED芯片接合体。LED封装体的特征在于，LED芯片接合体(10)与电路基板(11)接合，所述电路基板(11)是通过在金属基板(5)上隔着绝缘层(4)形成金属电路(3)而制成，上述LED芯片接合体的LED芯片(1)与上述电路基板的金属电路(3)通过电连接构件(9)连接，至少上述LED芯片接合体和上述电连接构件是由含有荧光物质的树脂密封材料(8)密封。 | ||
| 搜索关键词： | led 芯片 接合 封装 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种LED芯片接合体，是利用接合材料(未图示)直接在复合基板(2)上安装一个或两个以上的LED芯片(1)而制成的LED芯片接合体(10)，其特征在于，所述复合基板是使无机成形体中浸渗铝、硅或包含铝、硅为成分的合金而制成的，板厚为0.1‑2mm、表面粗糙度(Ra)为0.5μm以下、温度25℃的热导率为100‑600W/(m·K)、温度25℃‑150℃的线膨胀系数为3‑12×10‑6/K、且三点弯曲强度为50‑500MPa，且复合基板的LED芯片安装面的面积是与LED芯片接触的面积的2‑100倍。
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