[发明专利]电极板的通气孔形成方法无效
| 申请号： | 201080033653.X | 申请日： | 2010-10-06 |
| 公开（公告）号： | CN102473632A | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | 藤田悟史;松田厚 | 申请（专利权）人： | 三菱综合材料株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;B23K26/00;B23K26/04 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 杨晶;王琦 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种电极板的通气孔形成方法，该电极板的通气孔形成方法具有：粗糙化工序，对等离子体处理装置用电极板的表面进行粗糙化以使中心线平均粗糙度Ra为0.2μm～30μm；及通气孔形成工序，对所述电极板中被粗糙化的所述表面照射波长为200nm～600nm的激光来在所述电极板上形成向厚度方向贯穿的通气孔，所述通气孔形成工序中，通过使所述激光的焦斑沿所述电极板的面方向回转来形成圆形照射区，使所述照射区向所述电极板的面方向做圆周运动，同时使所述激光的焦斑向所述电极板的厚度方向移动。 | ||
| 搜索关键词： | 极板 通气孔 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种电极板的通气孔形成方法，其特征在于，具有：粗糙化工序，对等离子体处理装置用电极板的表面进行粗糙化以使中心线平均粗糙度Ra为0.2μm～30μm；及通气孔形成工序，对所述电极板中被粗糙化的所述表面照射波长为200nm～600nm的激光来在所述电极板上形成向厚度方向贯穿的通气孔，所述通气孔形成工序中，通过使所述激光的焦斑沿所述电极板的面方向回转来形成圆形照射区，使所述照射区向所述电极板的面方向做圆周运动，同时使所述激光的焦斑向所述电极板的厚度方向移动。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三菱综合材料株式会社，未经三菱综合材料株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201080033653.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
