[发明专利]具有非欧姆选择层的非易失性存储单元有效
| 申请号： | 201080032406.8 | 申请日： | 2010-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN102598139A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | T·伟;J·印斯克;V·文努戈帕兰;X·海文;T·麦克尔;L·布莱恩 | 申请（专利权）人： | 希捷科技有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16;G11C13/02;H01L27/24 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 钱慰民 |
| 地址： | 美国明*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 披露一种包含非欧姆选择层的非易失性存储单元和关联的方法。根据一些实施例，非易失性存储单元由耦合于非欧姆选择层的阻性感测元件(RSE)构成。选择层被配置成响应大于或等于预定阈值的电流从第一阻态转变至第二阻态。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 欧姆 选择 非易失性 存储 单元 | ||
【主权项】：
一种包含耦合于非欧姆选择层的阻性感测元件(RSE)的存储单元，其特征在于，所述选择层被配置成响应于大于或等于预定阈值的电流从第一阻态转变为第二阻态。
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