[发明专利]通过感应方法生产多晶硅锭的装置有效
| 申请号： | 201080032345.5 | 申请日： | 2010-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN102471924A | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | S·白令戈夫;V·奥尼先科;A·斯库尔科夫;Y·沙尔帕克;S·波辛刚;S·马切科;B·切普尔诺伊 | 申请（专利权）人： | 皮拉股份公司;TESYS有限公司;硅太阳能电池公司 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B11/00 |
| 代理公司： | 北京市浩天知识产权代理事务所 11276 | 代理人： | 雒纯丹 |
| 地址： | 乌克*** | 国省代码： | 乌克兰;UA |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种通过感应方法生产多晶硅锭的装置，包括外壳，该外壳包括启动加热硅的装置；和由感应器包围的冷却坩埚。该坩埚具有可活动底部和四个壁，该四个壁包括由纵向延伸狭缝分隔开的部分；用于移动可活动底部的装置，和设在冷却坩埚下面的控制冷却隔室。在坩埚的内面界定有正方形或长方形横截面的熔化腔室。冷却坩埚的壁至少从感应器朝向冷却坩埚的最低部分向外延伸，以扩张熔化室，且熔化腔室扩张的β角通过方程式β＝arctg[2·(k-1.35·10-3·b)/d]限定，其中，d是熔化腔室在感应器的水平上的长方形横截面的较小边或正方形横截面的边的长度，b是熔化腔室在感应器的水平上的横截面的相邻边的长度，k是经验系数，在1.5到2之间。该装置使降低硅熔体溢出和提高所生产的多晶硅质量成为可能。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 感应 方法 生产 多晶 装置 | ||
【主权项】：
一种通过感应方法生产多晶硅锭的装置，该装置包括外壳，该外壳包括启动加热硅的装置；由感应器包围的、具有可活动底部和四个壁的冷却坩埚，该四个壁包括由纵向延伸狭缝分隔开的部分；用于移动可活动底部的装置；和设在冷却坩埚下面的控制冷却隔室；其中在冷却坩埚的内面界定有正方形或长方形横截面的熔化腔室，且冷却坩埚的壁至少从感应器朝向冷却坩埚的最低部分向外延伸，以扩张熔化腔室，其特征在于，冷却坩埚的每一个壁都具有中央部分，该中央部分在熔化腔室侧的中间没有纵向延伸狭缝，且熔化腔室扩张的β角通过如下方程式限定：β＝arctg[2·(k‑1.35·10‑3·b)/d]，其中，d是熔化腔室在感应器的水平上的长方形横截面的较小边或正方形横截面的边的长度，b是熔化腔室在感应器的水平上的横截面的相邻边的长度，k是经验系数，在1.5到2之间。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于皮拉股份公司;TESYS有限公司;硅太阳能电池公司，未经皮拉股份公司;TESYS有限公司;硅太阳能电池公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201080032345.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
