[发明专利]III族氮化物半导体元件、外延衬底及制作III族氮化物半导体元件的方法

摘要

本发明提供包含具有良好表面形态的半极性外延膜的III族氮化物半导体元件。包含III族氮化物半导体的支撑基体13的主面13a沿着与基准轴Ax正交的基准平面RSUB延伸，所述基准轴Ax相对于该III族氮化物半导体的c轴以规定的角度ALPHA倾斜。基准轴Ax沿着从该III族氮化物半导体的c轴朝向m轴的方向以10度以上且小于80度的范围内的第一角度ALPHA1倾斜。主面13a显示出半极性。基准轴Ax从该III族氮化物半导体的c轴向a轴的方向以-0.30度以上且+0.30度以下的范围内的第二角度ALPHA2倾斜。基准轴Ax在主面13a的法线方向上延伸。外延半导体区域15的最表面15a的形态包含多个凹坑，该凹坑的凹坑密度为5×104cm-2以下。

主权项

一种III族氮化物半导体元件，其中，包括：支撑基体，其包含III族氮化物半导体，且具有沿着与基准轴正交的第一基准平面延伸的主面，所述基准轴相对于该III族氮化物半导体的c轴以规定的角度ALPHA倾斜，和外延半导体区域，其设置在所述支撑基体的所述主面上；所述外延半导体区域包含多个氮化镓基半导体层，所述基准轴沿着从该III族氮化物半导体的c轴朝向m轴及a轴中的任意一轴的第一晶轴的方向以10度以上且小于80度的范围的第一角度ALPHA1倾斜，所述基准轴沿着从该III族氮化物半导体的c轴朝向m轴及a轴中的任意另一轴的第二晶轴的方向以‑0.30度以上且+0.30度以下的范围的第二角度ALPHA2倾斜，所述规定的角度、所述第一角度及所述第二角度具有ALPHA＝(ALPHA12+ALPHA22)1/2的关系，所述外延半导体区域的最表面的形态包含多个凹坑，所述凹坑的凹坑密度为5×104cm‑2以下。