[发明专利]硅纯化装置及硅纯化方法无效
| 申请号： | 201080030709.6 | 申请日： | 2010-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN102471072A | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | 松本将之;南野隆二;杉冈亮一;北条美穗;山根聪;肥后辉明 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | C01B33/037 | 分类号： | C01B33/037 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 刘国军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的硅纯化装置的第1实施方式为一种硅纯化装置，该装置在减压容器内具备能够保持熔融硅(2)的坩埚(1)、能够设置在坩埚(1)上方的保温盖(5)、以及对熔融硅(2)进行加热的加热装置(3)，其中，在坩埚(1)的侧面外周部具有第1绝热材料(4)，保温盖(5)为碳毡制板状构件(502)，在其至少两个主面上具有碳复合材料(501a，501b)，保温盖(5)形成贯通其两个主面之间的开口部(6)，在保温盖(5)设置于坩埚(1)上面的状态下，设置保温盖(5)的坩埚(1)侧主面的碳复合材料(501a)，使其覆盖第1绝热材料(4)的上面。 | ||
| 搜索关键词： | 纯化 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种硅纯化装置，其在减压容器内具备：能够保持熔融硅(2)的坩埚(1)、能够设置在所述坩埚(1)上方的保温盖(5)、以及对熔融硅(2)进行加热的加热装置(3)，其中，在所述坩埚(1)的侧面外周部具有第1绝热材料(4)，所述保温盖(5)为碳毡制板状构件(502)，在其至少两个主面上具有碳复合材料(501a，501b)，所述保温盖(5)形成贯通其两个主面之间的开口部(6)，在所述保温盖(5)设置于所述坩埚(1)上面的状态下，设置所述保温盖(5)的坩埚(1)侧的主面的所述碳复合材料(501a)，使其覆盖所述第1绝热材料(4)的上面。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于夏普株式会社，未经夏普株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201080030709.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
