[发明专利]含有带硫醚键的硅的抗蚀剂下层膜形成用组合物有效
| 申请号： | 201080024296.0 | 申请日： | 2010-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN102460301A | 公开（公告）日： | 2012-05-16 |
| 发明（设计）人： | 菅野裕太;中岛诚;柴山亘 | 申请（专利权）人： | 日产化学工业株式会社 |
| 主分类号： | G03F7/11 | 分类号： | G03F7/11 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 段承恩;田欣 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供用于形成可以作为硬掩模使用的抗蚀剂下层膜的光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物。还提供使用该光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物形成抗蚀剂图案的方法。本发明提供了作为带硅原子的化合物含有水解性有机硅烷、其水解物、或其水解缩合物的组合物，其是上述带硅原子的化合物全体中的、硫原子相对硅原子的比例小于5摩尔％的光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物。水解性有机硅烷是式(1)：[R1aSi(R2)3-a]bR3式(1)。式(1)的R3具有式(2)：R4-S-R5式(2)的部分结构。 | ||
| 搜索关键词： | 含有 带硫醚键 抗蚀剂 下层 形成 组合 | ||
【主权项】：
一种光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，是作为带硅原子的化合物含有选自含有带硫原子的基团的水解性有机硅烷、其水解物和其水解缩合物中的至少1种化合物的组合物，该带硅原子的化合物全体中的、硫原子相对硅原子的比例小于5摩尔％。
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