[发明专利]具有垂直位线和单侧字线架构的可重编程非易失性存储器元件的三维阵列

摘要

公开了一种三维阵列，其特别适合于响应于跨越存储器元件施加的电压差而可逆地改变电导的水平的存储器元件。跨越位于半导体基板以上不同距离处的多个平面形成存储器元件。所有平面的存储器元件连接到的位线的二维阵列与基板垂直地取向并穿过多个平面。单侧字线架构为每行存储器元件专门地提供字线，而不是在两行存储器元件之间共享一字线，由此避免跨越字线链接跨越阵列的存储器元件。尽管该存储器元件行也由相应行的局部位线访问，但在该字线以外毗邻行局部位线之间不存在耦合延伸，因此不存在泄漏电流。

主权项

一种数据存储器，包括按三维图案布置的存储器元件，并具有在z方向上堆叠的多个平行平面，该三维图案由具有正交的x、y和z方向的矩形坐标定义，该存储器还包括：多个第一导线，穿过多个平面在z方向上延长，并按x方向上的行和y方向上的列的二维矩形阵列布置，多个第二导线，跨越个别平面在x方向上延长，并在y方向上在个别平面中的多个第一导线之间间隔开并与所述多个第一导线分离，其中第一和第二导线跨越该个别平面在多个位置处彼此毗邻地交叉，每相邻对的第二导线在x方向上围绕第一导线的相应行布置，用于与其一起专门地操作；多个非易失性可重编程存储器元件，与第一和第二导线在所述多个位置处的的交叉点毗邻个别地连接在第一和第二导线之间；以及多个选择器件，被布置为将所选行的第一导线个别地耦合到多个第三导线。