[发明专利]第III族氮化物半导体生长基板、第III族氮化物半导体外延基板、第III族氮化物半导体元件和第III族氮化物半导体自立基板、及它们的制造方法有效
| 申请号： | 201080021400.0 | 申请日： | 2010-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN102714145A | 公开（公告）日： | 2012-10-03 |
| 发明（设计）人： | 鸟羽隆一;宫下雅仁;丰田达宪;门胁嘉孝 | 申请（专利权）人： | 同和控股(集团)有限公司;同和电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;H01L33/02 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供第III族氮化物半导体用外延基板、第III族氮化物半导体元件和第III族氮化物半导体用自立基板，其产生不仅用于具有1050℃以下生长温度的材料如AlGaN、GaN和GaInN、而且用于具有高生长温度的高铝AlxGa1-xN组分的良好结晶性。还提供用于制造上述的第III族氮化物半导体用自立基板，及其有效的制造方法。这些的特征在于，提供有晶体生长基板，其至少表面区域包括含铝的第III族氮化物半导体，以及在所述表面区域上部形成的氮化钪膜。 | ||
| 搜索关键词： | iii 氮化物 半导体 生长 外延 元件 自立 它们 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种第III族氮化物半导体生长基板，其包括：晶体生长基板，其包括由至少包含Al的第III族氮化物半导体组成的表面部，和氮化钪膜，其形成在所述表面部上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
