[发明专利]用于对准硅衬底上一组图案的方法和设备无效
| 申请号： | 201080020684.1 | 申请日： | 2010-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN102439709A | 公开（公告）日： | 2012-05-02 |
| 发明（设计）人： | A·麦瑟;M·伯罗斯;H·安东尼亚迪斯 | 申请（专利权）人： | 英诺瓦莱特公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;B05C19/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 姬利永 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种对准衬底上一组图案的方法，衬底包括其上沉积有一组硅纳米颗粒的衬底表面，这组硅纳米颗粒包括一组包含碳原子的配基分子，其中在沉积纳米颗粒处形成第一组区域以及在未沉积纳米颗粒处形成第二组区域。该方法还进一步包括将这组硅纳米颗粒致密化到薄膜中，在薄膜中一组硅-有机区域在衬底表面上形成，其中第一组区域具有第一反射率值以及第二组区域具有第二反射率值。该方法进一步包括通过照射源照射衬底表面，其中第二反射率值与第一反射率值之比大于约1.1。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 对准 衬底 一组 图案 方法 设备 | ||
【主权项】：
一种对准衬底上一组图案的方法，所述衬底包括衬底表面，包括：在所述衬底表面沉积一组硅纳米颗粒，所述一组硅纳米颗粒包括一组包含一组碳原子的配基分子，其中在沉积纳米颗粒处形成第一组区域以及在未沉积纳米颗粒处形成第二组区域；将所述一组硅纳米颗粒致密化到薄膜中，在所述薄膜中一组硅‑有机区域在衬底表面上形成，其中所述第一组区域具有第一反射率值以及所述第二组区域具有第二反射率值；以及通过照射源照射所述衬底表面，其中第二反射率值与第一反射率值之比大于约1.1。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
