[发明专利]借助表面发射半导体装置的数字热注入无效
申请号: | 201080017254.4 | 申请日: | 2010-03-05 |
公开(公告)号: | CN102405568A | 公开(公告)日: | 2012-04-04 |
发明(设计)人: | 唐·W·科克伦;本杰明·D·约翰逊;乔纳森·M·卡茨;马克·W·穆尔;诺埃尔·E·摩根;登伍德·F·罗斯 | 申请(专利权)人: | 派拉斯科技术公司 |
主分类号: | H01S5/00 | 分类号: | H01S5/00 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 沈锦华 |
地址: | 美国俄*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种用于借助并入例如表面发射装置的特殊类别的半导体激光器而用数字方式将热注入到宽广范围的产品中的方法及系统。此技术涉及一种实践直接注入合意地匹配特定材料在指定波长下的吸收规格的窄带辐射能量的现有技术的更具体、经济及有利的方式。 | ||
搜索关键词: | 借助 表面 发射 半导体 装置 数字 注入 | ||
【主权项】:
一种用于将辐射能量不接触注入到目标中的系统,所述系统包括:操作以将目标定位于促进向所述目标中施加辐射加热的辐照区中的构件;至少一个基于半导体的窄带辐射发射装置元件,所述至少一个窄带辐射发射装置操作以在匹配所述目标的所期望吸收特性的辐射热输出窄波长带下发射辐射;所述至少一个窄带辐射发射装置为安装式表面发射激光二极管装置;所述至少一个窄带辐射发射装置安装到包括电路板及冷却衬底中的至少一者的安装实体,以便相对于所述安装实体的最大平面大体正交地引导来自所述至少一个窄带辐射发射装置的辐照型式的中心轴;安装布置,其经配置以定位所述至少一个窄带辐射发射二极管装置,以便将来自所述至少一个窄带辐射发射二极管装置的辐照引导到所述辐照区中的目标;及操作以向所述至少一个窄带辐射发射装置供应电流的构件。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于派拉斯科技术公司,未经派拉斯科技术公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201080017254.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:MOS器件及其制造方法
- 下一篇:信息提醒的方法、装置及系统