[发明专利]图像传感器及其制造方法有效
| 申请号： | 201080015737.0 | 申请日： | 2010-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN102388456A | 公开（公告）日： | 2012-03-21 |
| 发明（设计）人： | 岸隆史 | 申请（专利权）人： | 佳能株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H04N5/335 |
| 代理公司： | 北京魏启学律师事务所 11398 | 代理人： | 魏启学 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 图像传感器包括：光电转换像素，包括进行光电转换的光电转换元件、和在位于光电转换元件上方的层间绝缘膜中由第一材料形成的光导；以及遮光像素，包括进行光电转换的光电转换元件、在位于光电转换元件上方的层间绝缘膜中由与第一材料不同的第二材料形成的光导、以及在光导上方形成的遮光层。 | ||
| 搜索关键词： | 图像传感器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种图像传感器，包括：光电转换像素，包括第一光电转换元件、位于所述第一光电转换元件上方的第一配线层、在所述第一配线层之间形成的第一层间绝缘膜以及在所述第一层间绝缘膜中由第一材料形成的第一光导；以及遮光像素，包括第二光电转换元件、位于所述第二光电转换元件上方的第二配线层、在所述第二配线层之间形成的第二层间绝缘膜、在所述第二层间绝缘膜中由具有与所述第一材料不同的特性的第二材料形成的第二光导以及在所述第二光导上方形成的用于遮蔽所述第二光电转换元件和所述第二光导的遮光层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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