[发明专利]衬底清洗方法无效
| 申请号: | 201080011571.5 | 申请日: | 2010-03-10 |
| 公开(公告)号: | CN102349137A | 公开(公告)日: | 2012-02-08 |
| 发明(设计)人: | 守屋刚;横山新;奥山喜久夫 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304 |
| 代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | 本发明提供一种衬底清洗方法,将形成有微细图案的衬底以不会对其细微图案带来不良影响的方式在短时间内进行清洗。关于形成有具有代表长度为0.1μm以下的槽或者孔的微细图案的晶圆(W),以在含有水分的空间内隔着配置在规定位置上的对置电极(46)并隔着固定间隔与具有锐角状的前端部的冷却自由的放电电极(45)的前端部相对置的方式,配置晶圆(W),使放电电极(45)进行冷却使放电电极(45)产生结露,并且在放电电极(45)与对置电极(46)之间施加固定电压。在施加该固定电压时,在放电电极(45)的前端部产生含有直径10nm以下的水微粒子的气溶胶,通过将气溶胶喷射到晶圆(W)来清洗晶圆(W)。 | ||
| 搜索关键词: | 衬底 清洗 方法 | ||
【主权项】:
一种衬底清洗方法,用于对形成有微细图案的衬底进行清洗,该微细图案具有代表长度为0.1μm以下的槽或者孔,该衬底清洗方法的特征在于,具有以下步骤:衬底配置步骤,以如下方式将上述衬底配置在含有水分的空间内:上述衬底与放电电极的前端部隔着固定间隔地相对置,且上述衬底与放电电极的前端部之间隔着配置于规定位置的对置电极,该放电电极能够自由地被冷却且具有锐角状的上述前端部;以及清洗步骤,冷却上述放电电极来使上述放电电极上产生结露,并且在上述放电电极与上述对置电极之间施加固定电压,其中,在上述清洗步骤中,在上述放电电极的上述前端部产生含有直径10nm以下的水微粒子的气溶胶,通过将上述气溶胶喷射到上述衬底来清洗上述衬底。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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