[发明专利]用于金属-氧化物-金属电容器的高电容绝缘体的选择性制造有效
| 申请号： | 201080010983.7 | 申请日： | 2010-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN102341910A | 公开（公告）日： | 2012-02-01 |
| 发明（设计）人： | 武·泰格·康;金郑海;徐钟元 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/108 | 分类号： | H01L27/108;H01L27/04 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 宋献涛 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明揭示半导体装置中的具有增加的电容的电容器的方法和装置。在一特定实施例中，揭示一种形成电容器的方法。移除在第一金属接触元件与第二金属接触元件之间的第一绝缘材料的一区段以形成一沟道。将第二绝缘材料沉积于所述第一金属接触元件与所述第二金属接触元件之间的所述沟道中。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 金属 氧化物 电容器 电容 绝缘体 选择性 制造 | ||
【主权项】：
一种形成电容器的方法，其包含：移除定位于第一金属接触元件与第二金属接触元件之间的第一绝缘材料的一区段以形成一沟道；以及将第二绝缘材料沉积于所述第一金属接触元件与所述第二金属接触元件之间的所述沟道中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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