[发明专利]用于太阳能电池中的隧道结的高掺杂层有效
| 申请号： | 201080009936.0 | 申请日： | 2010-02-04 |
| 公开（公告）号： | CN102341913A | 公开（公告）日： | 2012-02-01 |
| 发明（设计）人： | C·M·费策尔 | 申请（专利权）人： | 波音公司 |
| 主分类号： | H01L29/88 | 分类号： | H01L29/88;H01L31/068 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 赵蓉民 |
| 地址： | 美国伊*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明关于一种用于多结太阳能电池中的互连隧道结的高掺杂层。高掺杂层是被用来连接多结太阳能电池中的两个或更多个p在n上或n在p上的太阳能电池的隧道二极管结的一层或两层中的δ掺杂层。δ掺杂层通过以下步骤制造：中断隧道二极管的多层中的一层的外延生长，以明显比用在生长隧道二极管的层中的浓度大的浓度沉积δ掺杂剂，并且之后继续外延地生长剩余的隧道二极管。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 太阳能电池 中的 隧道 掺杂 | ||
【主权项】：
一种多结太阳能电池(400)，包括：第一p/n型半导体材料的隧道二极管(304)的第一层；δ掺杂层(404)，其具有与所述第一p/n型半导体材料类似的p/n型掺杂，所述δ掺杂层(404)明显比所述第一层薄，所述δ掺杂层(404)达到比所述第一层的掺杂剂浓度明显高的掺杂剂浓度，并且所述δ掺杂层沉积在所述第一层上；与所述隧道二极管(304)的所述第一层和所述δ掺杂层(404)互补的第二p/n型半导体材料的所述隧道二极管(306)的第二层，所述第二层外延地生长在所述δ掺杂层(404)上；以及至少两个光伏子电池(102，104)，其被所述隧道二极管电连接。
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