[发明专利]DDR型沸石膜的生产方法有效
| 申请号： | 201080009728.0 | 申请日： | 2010-02-15 |
| 公开（公告）号： | CN102333727A | 公开（公告）日： | 2012-01-25 |
| 发明（设计）人： | 新野真纪子;谷岛健二 | 申请（专利权）人： | 日本碍子株式会社 |
| 主分类号： | C01B37/02 | 分类号： | C01B37/02;B01D69/10;B01D69/12;B01D71/02;C01B39/48 |
| 代理公司： | 上海市华诚律师事务所 31210 | 代理人： | 徐申民;李晓 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种DDR型沸石膜的生产方法，具有将多孔性基质浸泡于分散了DDR型沸石粉末的晶种形成用原料溶液中，进行水热合成，在多孔性基质表面形成多个DDR型沸石晶粒的晶种形成工序，和将表面形成有DDR型沸石晶粒的多孔性基质浸泡于不含有DDR型沸石粉末的膜形成用原料溶液，进行水热合成，在多孔性基质的表面形成DDR型沸石膜的膜形成工序。提供一种能制造致密DDR型沸石膜，且能防止合成用容器损伤的DDR型沸石膜的生产方法。 | ||
| 搜索关键词： | ddr 型沸石膜 生产 方法 | ||
【主权项】：
一种DDR型沸石膜的生产方法，具有：晶种形成工序，将多孔性基质浸泡于分散了DDR型沸石粉末的含有1‑三环癸胺、二氧化硅和水的晶种形成用原料溶液中，进行水热合成，以使在所述多孔性基质表面形成多个DDR型沸石晶粒，和膜形成工序，将所述表面形成有DDR型沸石晶粒的多孔性基质浸泡于含有1‑三环癸胺、二氧化硅和水而不含有DDR型沸石粉末的膜形成用原料溶液，进行水热合成，在所述多孔性基质的表面形成DDR型沸石膜。
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