[发明专利]使用气体预热法的低温CNT生长有效
| 申请号： | 201080009432.9 | 申请日： | 2010-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN102333906A | 公开（公告）日： | 2012-01-25 |
| 发明（设计）人： | H·C·马来茨基;T·K·沙赫 | 申请（专利权）人： | 应用纳米结构方案公司 |
| 主分类号： | C23C16/00 | 分类号： | C23C16/00;D01F9/12 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 赵蓉民;张全信 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 合成碳纳米管(CNT)的方法包括以下步骤：提供生长室，所述生长室被加热至足够高以促进碳纳米管生长的第一温度；和使基底通过所述生长室；以及将原料气引入所述生长室，所述生长室已被预热至足以将所述原料气的至少一些分解为至少游离碳自由基的第二温度，从而在所述基底上引发碳纳米管的形成。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 气体 预热 低温 cnt 生长 | ||
【主权项】：
合成碳纳米管(CNT)的方法，包括以下步骤：提供生长室，所述生长室被加热至足够高以促进碳纳米管生长的第一温度；使基底通过所述生长室；和将原料气引入所述生长室，所述生长室已被预热至足以将所述原料气的至少一些分解为至少游离碳自由基的第二温度，从而在所述基底上引发碳纳米管的形成。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
