[发明专利]自旋转移转矩存储器自基准读取方法有效

专利信息
申请号: 201080008973.X 申请日: 2010-02-22
公开(公告)号: CN102326204A 公开(公告)日: 2012-01-18
发明(设计)人: Y·郑;Y·陈;王小斌;Z·高;D·季米特洛夫;朱文忠;Y·陆 申请(专利权)人: 希捷科技有限公司
主分类号: G11C11/16 分类号: G11C11/16
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 钱慰民
地址: 美国明*** 国省代码: 美国;US
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 披露一种自基准读取磁性隧道结数据单元方法。该示例性方法包括跨磁性隧道结数据单元地施加读取电压并形成读取电流。磁性隧道结数据单元具有第一阻态。该读取电压足以切换磁性隧道结数据单元阻抗。该方法包括检测读取电流并判断在施加步骤期间读取电流是否保持恒定。如果读取电流在施加步骤期间保持恒定,则磁性隧道结数据单元的第一阻态是读取电压足以将磁性隧道结数据单元切换至的阻抗状态。
搜索关键词: 自旋 转移 转矩 存储器 基准 读取 方法
【主权项】:
一种自基准读取磁性隧道结数据单元的方法,包括:跨磁性隧道结数据单元地施加读取电压并形成读取电流,所述磁性隧道结数据单元具有第一阻态,所述读取电压足以切换所述磁性隧道结数据单元阻抗;检测所述读取电流;以及判断所述读取电流在所述施加步骤期间是否保持恒定,并且如果所述读取电流在所述施加步骤期间保持恒定,则所述磁性隧道结数据单元的第一阻态是所述读取电压足以将所述磁性隧道结数据单元切换至的阻态。
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