[发明专利]外延晶片的形成方法及半导体器件的制作方法

摘要

本发明提供可在氧化镓区域上淀积结晶质量良好的氮化镓基半导体的外延晶片的形成方法。在步骤S107中，生长AlN缓冲层(13)。在步骤S108中，在时刻t5，除氮气以外，还向生长炉(10)内供给含有氢气、三甲基铝和氨气的原料气体G1，在主面(11a)上生长AlN缓冲层(13)。AlN缓冲层(13)被称作所谓的低温缓冲层。缓冲层(13)的成膜开始后，在步骤S109中，在时刻t6开始供给氢气(H2)。在时刻t6，向生长炉(10)内供给H2、N2、TMA和NH3。在时刻t6～t7之间增加氢气的供给量，在时刻t7停止增加氢气而供给一定量的氢气。在时刻t7，向生长炉(10)内供给H2、TMA和NH3。

主权项

一种外延晶片的形成方法，其特征在于，包括如下步骤：将氧化镓衬底配置于生长炉内；向所述生长炉内供给氮气使所述氧化镓衬底暴露于氮气气氛中的同时，变更所述氧化镓衬底的衬底温度；在所述衬底温度达到第一成膜温度后，向所述生长炉内供给氮气的同时，在所述第一成膜温度下形成包含AlxGa1‑xN(0＜x≤1)的缓冲层；和在所述生长炉内，在所述缓冲层上在第二成膜温度下生长氮化镓基半导体外延层；且所述第一成膜温度为摄氏550度以上，在所述缓冲层的生长过程中，开始向所述生长炉内供给氢气。