[发明专利]n型SiC单晶的制造方法、由此得到的n型SiC单晶及其应用有效
| 申请号： | 201080008632.2 | 申请日： | 2010-02-18 |
| 公开（公告）号： | CN102325929A | 公开（公告）日： | 2012-01-18 |
| 发明（设计）人： | 关章宪;藤原靖幸 | 申请（专利权）人： | 丰田自动车株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;H01L21/04;C30B15/00;C30B19/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 杨海荣;穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种制造n型SiC单晶的方法，所述方法包括：在SiC单晶的晶体生长期间，添加用于获得n型半导体的施主元素氮、以及镓，使得以atm单位表示的氮量大于以atm单位表示的镓量；一种根据这种制造方法得到的n型SiC单晶；以及包括所述n型SiC单晶的半导体器件。 | ||
| 搜索关键词： | sic 制造 方法 由此 得到 及其 应用 | ||
【主权项】：
一种制造n型SiC单晶的方法，所述方法包括：在SiC单晶的晶体生长期间，添加用于获得n型半导体的施主元素氮、以及镓，使得以atm单位表示的氮量大于以atm单位表示的镓量。
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