[发明专利]高可靠性的OTP存储器有效
| 申请号: | 201080007103.0 | 申请日: | 2010-02-05 |
| 公开(公告)号: | CN102308338A | 公开(公告)日: | 2012-01-04 |
| 发明(设计)人: | 沃德克·库尔贾诺韦茨 | 申请(专利权)人: | 赛鼎矽公司 |
| 主分类号: | G11C17/18 | 分类号: | G11C17/18;G11C17/16 |
| 代理公司: | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人: | 余朦;王艳春 |
| 地址: | 加拿大*** | 国省代码: | 加拿大;CA |
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| 摘要: | 通过将一个数据位存储在至少两个OTP存储单元中以用于提高OTP存储器的可靠性的方法和系统,特别是提高反熔丝存储器的可靠性。因此通过在每位多单元模式中同时读取至少两个OTP存储单元,读出每一个数据位。通过将一个数据位存储在至少两个OTP存储单元中,因为其他的单元提供了固有的冗余,所以对有缺陷的单元或弱的可编程单元进行补偿。在每位多单元模式中读出数据的正常运行之前,通过一次编程一个数据位和校验在单端读取模式中所有的已编程位,确保了编程的可靠性。通过用于反熔丝存储器的新的程序/校验算法,以高速和最小功率损耗来实现编程和校验。除了提高可靠性之外,相对于每位单个单元的存储器,提高了读取容限和读取速度。 | ||
| 搜索关键词: | 可靠性 otp 存储器 | ||
【主权项】:
一种用于编程一次性可编程(OTP)存储单元的方法,包括:i)利用第一编程参数编程输入数据;ii)将利用所述第一编程参数编程失败的输入数据的位识别为失败位;iii)利用与所述第一编程参数不同的第二编程参数对所述失败位进行再编程;以及iv)如果至少一位被识别为所述再编程失败,在步骤ii)重复所述方法。
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