[发明专利]光掩模、光掩模的制造方法及修正方法有效
申请号: | 201080007022.0 | 申请日: | 2010-02-04 |
公开(公告)号: | CN102308256A | 公开(公告)日: | 2012-01-04 |
发明(设计)人: | 长井隆治;高见泽秀吉;毛利弘;森川泰考;早野胜也 | 申请(专利权)人: | 大日本印刷株式会社 |
主分类号: | G03F1/32 | 分类号: | G03F1/32;G03F1/38;H01L21/027 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 雒运朴 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 提供一种使用在以ArF准分子激光为曝光光源的、基于变形照明的投影曝光中、能够确保作为辅助图案的焦点深度放大效果、同时在不使辅助图案发生析像的情况下形成主图案的高对比度的转印图像的具有辅助图案的半色调掩模及其制造方法。光掩模是在设有通过投影曝光而向转印对象面转印的主图案和形成在主图案的附近且不转印的辅助图案的光掩模,其特征在于,主图案和辅助图案通过由同一材料形成的半透明膜构成,使透过主图案的光与透过透明基板的透明区域的光产生180度的相位差,且使透过辅助图案的光与透过透明基板的透明区域的光产生70度~115度范围的规定的相位差。 | ||
搜索关键词: | 光掩模 制造 方法 修正 | ||
【主权项】:
一种光掩模,其使用在以ArF准分子激光为曝光光源的、基于变形照明的投影曝光中,该光掩模在透明基板的一主面上设有通过所述投影曝光而向转印对象面转印的主图案和形成在所述主图案的附近且向所述转印对象面不转印的辅助图案,所述光掩模的特征在于,所述主图案和所述辅助图案通过由同一材料形成的半透明膜构成,透过所述主图案的光与透过所述透明基板的透明区域的光产生180度的相位差,且透过所述辅助图案的光与透过所述透明基板的透明区域的光产生70度~115度范围的规定的相位差。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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