[发明专利]光电转换装置和成像系统有效
| 申请号： | 201080006232.8 | 申请日： | 2010-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN102301475A | 公开（公告）日： | 2011-12-28 |
| 发明（设计）人： | 山下雄一郎;渡边高典;下津佐峰生;市川武史 | 申请（专利权）人： | 佳能株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 卜荣丽 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种光电转换装置包括设置在半导体基板(5B)中的多个光电转换部分(51)，其中，各光电转换部分(51)包括：包含第一杂质的P型电荷蓄积区域(107)；和与P型电荷蓄积区域一起配置光电二极管的N型阱部分(102)，并且，各阱部分具有：包含第一浓度的砷的N型第一半导体区域(102a)；被设置在第一半导体区域下面并且包含比第一浓度低的第二浓度的砷的N型第二半导体区域(102b、102c)；和被设置在第二半导体区域下面并且包含比第一浓度高的第三浓度的第二杂质的N型第三半导体区域(102d)。 | ||
| 搜索关键词： | 光电 转换 装置 成像 系统 | ||
【主权项】：
一种包括设置在半导体基板中的多个光电转换部分的光电转换装置，其中，各光电转换部分包含：包含第一杂质的P型电荷蓄积区域；和与P型电荷蓄积区域一起配置光电二极管的N型阱部分，并且，各阱部分具有：包含第一浓度的砷的N型第一半导体区域；被设置在第一半导体区域下面并且包含比第一浓度低的第二浓度的砷的N型第二半导体区域；和被设置在第二半导体区域下面并且包含比第一浓度高的第三浓度的第二杂质的N型第三半导体区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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