[发明专利]光生伏打模块和制造具有多个半导体层堆叠的光生伏打模块的方法无效
| 申请号： | 201080005854.9 | 申请日： | 2010-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN102301491A | 公开（公告）日： | 2011-12-28 |
| 发明（设计）人： | K·考克力;G·哈森;J·斯特芬斯;K·吉罗特拉;S·罗森哈尔 | 申请（专利权）人： | 薄膜硅公司 |
| 主分类号： | H01L31/042 | 分类号： | H01L31/042 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 王莉莉 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 提供了一种单片集成光生伏打模块。该模块包括：电绝缘衬底；衬底之上的微晶硅层的下堆叠；下堆叠之上的非晶硅层的中堆叠；中堆叠之上的非晶硅层的上堆叠；以及上堆叠之上的透光覆盖层。下、中、上堆叠的每一个的能带隙彼此不同从而下、中、上堆叠的每一个吸收不同频谱的入射光。 | ||
| 搜索关键词： | 光生伏打 模块 制造 具有 半导体 堆叠 方法 | ||
【主权项】：
一种单片集成光生伏打模块，包括：电绝缘衬底；衬底之上的微晶硅层的下堆叠；下堆叠之上的非晶硅层的中堆叠；中堆叠之上的非晶硅层的上堆叠；以及位于上堆叠之上的透光覆盖层，其中，下、中、上堆叠的每一个的能带隙彼此不同从而下、中、上堆叠的每一个吸收不同频谱的入射光。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
