[发明专利]具有负电压写入辅助电路的存储器及其方法有效
| 申请号： | 201080005845.X | 申请日： | 2010-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN102301424A | 公开（公告）日： | 2011-12-28 |
| 发明（设计）人： | P·U·肯卡莱;T·L·库珀 | 申请（专利权）人： | 飞思卡尔半导体公司 |
| 主分类号： | G11C11/416 | 分类号： | G11C11/416;G11C11/413;G11C5/14;G11C7/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 秦晨 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种将数据写入存储器(10)的所选列的方法，包括选择第一列。数据写入通过将逻辑高电位施加于第一列的第一位线(BL0)并且将低于逻辑高电位的第一电位施加于第一列的第二位线(BLB0)来启动。第一电位被去除并且将第二电位施加于第二位线。第二电位小于第一电位。第一电位可以是地电位(VSS)，并且第二位线可以是负电压(VNEG)。降低正接收逻辑低电位的位线的写入电压提高了它被写入的能力。通过首先使逻辑低电位变为可以是地电位的第一电位，并且然后进一步降低所施加的电压，对第二电位的电源的要求得以降低。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 电压 写入 辅助 电路 存储器 及其 方法 | ||
【主权项】：
一种将数据写入存储器中的方法，其中所述存储器包括具有位线对的列的子阵列，所述方法包括以下步骤：选择用于写入的第一列；通过将逻辑高电位施加于所述第一列的第一位线并且将低于所述逻辑高电位的第一电位施加于所述第一列的第二位线来启动所述写入；提供低于所述第一电位的第二电位；以及去除所述第一电位并且将所述第二电位施加于所述第二位线。
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