[发明专利]薄膜固态锂离子二次电池及其制造方法有效
| 申请号: | 201080005748.0 | 申请日: | 2010-01-28 |
| 公开(公告)号: | CN102301518A | 公开(公告)日: | 2011-12-28 |
| 发明(设计)人: | 猿飞裕一;高原克典;守冈宏之;古谷龙也;日隈弘一郎;市川玲奈;仙田结;足立百惠 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
| 主分类号: | H01M10/0585 | 分类号: | H01M10/0585;H01M4/13;H01M4/131;H01M4/66;H01M10/052;H01M10/0562 |
| 代理公司: | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人: | 肖善强 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | 本发明公开了高性能并且便宜的薄膜固态锂离子二次电池以及制造该电池的方法,该电池能够在空气中充电和放电,并且能够以令人满意的产率被稳定地制造。该薄膜固态锂离子二次电池具有:由有机树脂形成的电绝缘基板(10);设置在基板的面上的无机绝缘膜;正极侧集电体膜(30);正极活性材料膜(40);固体电解质膜(50);负极电位形成层(64);以及负极侧集电体膜(70)。在该薄膜固态锂离子二次电池中,正极侧集电体膜和/或负极侧集电体膜被形成在无机绝缘膜的面上。负极电位形成层是由与正极活性材料膜的相同的材料或与正极活性材料膜的不同的材料形成的层,并且是设置用于在放电时形成负极电位的层。负极电位形成层的厚度为大于或等于2nm并小于或等于20nm。无机绝缘膜的厚度为大于或等于5nm并小于或等于500nm。无机绝缘膜包含含有Si、Al、Cr、Zr、Ta、Ti、Mn、Mg和Zn中的任何一种的氧化物、氮化物和硫化物中的至少一种。 | ||
| 搜索关键词: | 薄膜 固态 锂离子 二次 电池 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种薄膜固态锂离子二次电池,包括:电绝缘基板;正极侧集电体膜;正极活性材料膜;固体电解质膜;负极电位形成层;以及负极侧集电体膜,其中,所述正极侧集电体膜、所述正极活性材料膜、所述固体电解质膜、所述负极电位形成层以及所述负极侧集电体膜被形成在所述电绝缘基板上,所述负极电位形成层是由不同于负极活性材料的材料形成的层,并且是设置用于在充电时形成负极电位的层。
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