[发明专利]防止在蚀刻处理和/或随后的清洗处理期间蚀刻副产物沉淀的方法

摘要

处理微电子形貌的方法，包括采用包含有处于超临界状态或液态的流体的蚀刻溶液选择性蚀刻所述形貌的层。在一些实施方式中，所述蚀刻处理可包括将所述蚀刻溶液的新鲜组分引入处理腔室，并且同时排放所述腔室以阻止蚀刻副产物的沉淀。在所述蚀刻处理后，可将包含有处于超临界状态或液态的所述流体引入到所述腔室。在一些情况下，所述清洗溶液可包括一种或一种以上的极性助溶剂，例如酸、极性醇和/或水，所述极性助溶剂可与所述流体相混合以帮助阻止蚀刻副产物沉淀。附加地或替代地，所述蚀刻溶液和清洗溶液中的至少一种可包括被配置用于对在所述形貌的环境内的溶解的蚀刻副产物进行改性的化学品，以阻止蚀刻副产物沉淀。

主权项

处理微电子形貌的方法，包括：将微电子形貌载入处理腔室内；将蚀刻溶液引入到所述处理腔室内，以选择性蚀刻包含有所述微电子形貌的上表面的层，其中所述处理腔室内的所述蚀刻溶液包括处于超临界状态或液态的流体；随后将清洗溶液引入到所述处理腔室内，其中所述清洗溶液包括处于超临界状态或液态的流体；以及在引入所述蚀刻溶液和引入所述清洗溶液的步骤中的一个步骤期间至少部分地将化学品引入所述处理腔室内，其中所述化学品是化学配置用于对在所述微电子形貌的周围环境内的溶解的蚀刻副产物进行改性，从而阻止所述溶解的蚀刻副产物在所述微电子形貌上沉淀。