[发明专利]用于在衬底上沉积至少一个导电膜的方法有效
| 申请号： | 201080004658.X | 申请日： | 2010-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN102282693A | 公开（公告）日： | 2011-12-14 |
| 发明（设计）人： | 杰罗恩·H·A·M·范布尔;D·伯特拉姆;J·克里恩;H·施瓦布;E·W·A·扬;A·加塞尔;K·韦斯森巴赫;C·维德;N·皮尔赫;J·H·施托伦维尔克 | 申请（专利权）人： | 皇家飞利浦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/00 | 分类号： | H01L51/00;C23C14/28 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 初媛媛;刘鹏 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于在衬底(30)上沉积至少一个导电膜(20)的方法，包括步骤：选择膜材料层(10)，其中所述层(10)包括位于前面(11)上的掩模(40)且其中所述层(10)和所述掩模(40)是整体的，将所述层(10)的所述前面(11)安置在所述衬底(30)上，将至少一个激光脉冲(120)施加到所述层(10)的后面(12)上，以便熔化且汽化至少部分所述层(10)从而使熔化的液滴(110)朝向所述衬底(30)推进且沉积在其上，由此形成所述膜(20)，其中所述掩模(40)的至少一个槽(45)限定所述熔化的液滴(110)的分布。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 衬底 沉积 至少 一个 导电 方法 | ||
【主权项】：
一种用于在衬底(30)上沉积至少一个导电膜(20)的方法，包括步骤：‑选择膜材料层(10)，其中所述层(10)包括位于前面(11)上的掩模(40)且其中所述层(10)和所述掩模(40)是整体的，‑将所述层(10)的所述前面(11)安置在所述衬底(30)上，‑将至少一个激光脉冲(120)施加到所述层(10)的后面(12)上，以便熔化且汽化至少部分所述层(10)从而使熔化的液滴(110)朝向所述衬底(30)推进且沉积在所述衬底(30)上，由此形成所述膜(20)，其中所述掩模(40)的至少一个槽(45)限定所述熔化的液滴(110)的分布。
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