[发明专利]等离子CVD装置有效
| 申请号: | 201080004227.3 | 申请日: | 2010-01-12 |
| 公开(公告)号: | CN102272350A | 公开(公告)日: | 2011-12-07 |
| 发明(设计)人: | 新井进;江藤谦次 | 申请(专利权)人: | 株式会社爱发科 |
| 主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44;H01L21/205;H01L21/31 |
| 代理公司: | 北京华夏正合知识产权代理事务所(普通合伙) 11017 | 代理人: | 韩登营 |
| 地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | 本发明提供一种等离子CVD装置,其真空室采用分体结构,喷射板很容易装到真空室内部或从中取出。本发明一个实施方式的等离子CVD装置(3)具有由第一和第二真空室部件(11、12)的接合体构成的真空室(10)。经由设置在第二真空室部件(12)的非接合面一侧的侧面(122)上的取出部(5)可将喷射板(61)从内部空间中取出。因此,喷射板(61)无需采用分体结构,也能容易地进行将该喷射板(61)装入真空室(10)的内部空间或从中取出的作业。 | ||
| 搜索关键词: | 等离子 cvd 装置 | ||
【主权项】:
一种等离子CVD装置,其特征在于,具有:第一真空室部件,其具有与第一方向交叉的第一侧面,该第一侧面上形成有第一开口;第二真空室部件,其具有与上述第一方向交叉的第二侧面,所述第二侧面上形成有第二开口,在上述第一方向上与上述第二侧面面对着的第三侧面,当上述第二侧面与上述第一侧面接合时,在上述第一真空室部件和上述第二真空室部件的内部形成包括上述第一、第二开口在内的能排气成真空状态的内部空间;喷射板,其设置在上述内部空间内并贯穿上述第一和第二开口;取出部,其设置在上述第三侧面上,用来沿上述第一方向从上述内部空间取出上述喷射板。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的





