[发明专利]等离子体处理装置无效
| 申请号: | 201080004120.9 | 申请日: | 2010-01-07 |
| 公开(公告)号: | CN102272895A | 公开(公告)日: | 2011-12-07 |
| 发明(设计)人: | 若松贞次;龟崎厚治;菊池正志;神保洋介;江藤谦次;浅利伸;内田宽人 | 申请(专利权)人: | 株式会社爱发科 |
| 主分类号: | H01L21/205 | 分类号: | H01L21/205;H01L31/04 |
| 代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人: | 杨晶;王琦 |
| 地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | 该等离子体处理装置包括:处理室(101),由具有侧壁(34)的腔室(2)、电极法兰(4)、和被所述腔室(2)与所述电极法兰(4)夹着的绝缘法兰(81)形成,并具有反应室(2a);支撑部(15),收容于所述反应室(2a)内,载置有具有处理面(10a)的基板(10);搬出搬入部(36),设置于所述腔室(2)的所述侧壁(34);RF电源(9),与所述电极法兰(4)连接,并施加高频电压;第一阀门(55),设置于所述搬出搬入部(36),并开闭所述搬出搬入部(36);以及第二阀门(56),与所述腔室(2)电连接,并具有与所述腔室(2)的内侧面(33)位于同一平面上的面部(56a)。 | ||
| 搜索关键词: | 等离子体 处理 装置 | ||
【主权项】:
一种等离子体处理装置,其特征在于,包括:处理室,由具有侧壁的腔室、电极法兰、和被所述腔室与所述电极法兰夹着的绝缘法兰形成,并具有反应室;支撑部,收容于所述反应室内,载置有具有处理面的基板,并控制所述基板的温度;搬出搬入部,设置于所述腔室的所述侧壁,用于把所述基板搬出或者搬入所述反应室;RF电源,与所述电极法兰连接,并施加高频电压;第一阀门,设置于所述搬出搬入部,并开闭所述搬出搬入部;以及第二阀门,与所述腔室电连接,并具有与所述腔室的内侧面位于同一平面上的面部。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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