[发明专利]气体分配装置及具有其的基板处理装置无效
| 申请号: | 201080003395.0 | 申请日: | 2010-02-26 |
| 公开(公告)号: | CN102239543A | 公开(公告)日: | 2011-11-09 |
| 发明(设计)人: | 崔善弘;李承浩;李永熙 | 申请(专利权)人: | 周星工程股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/205 | 分类号: | H01L21/205;B05B7/08 |
| 代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;钟强 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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| 摘要: | 本发明提供一种气体分配装置及一种包括该气体分配装置的基板处理装置。该基板处理装置包括:腔室,其包含反应空间;基板定位单元,其安置于该腔室的该反应空间中以相对于其中心径向地定位多个基板;以及气体分配器件,其包含:第一气体分配部分,该第一气体分配部分经配置以经由彼此不同的路线将至少两种源材料喷射至基板上,以及第二气体分配部分,该第二气体分配部分经配置以将具有大于所述至少两种源材料的分解温度平均值的分解温度的源材料喷射至该基板上。该第一气体分配部分分隔成至少两个区段且经安置以使得该第二气体分配部分定位于所述至少两个区段之间;且所述至少两个区段彼此可耦接且可分离。 | ||
| 搜索关键词: | 气体 分配 装置 具有 处理 | ||
【主权项】:
一种气体分配装置,其包含:第一气体分配部分,其经配置以经由彼此不同的路线将至少两种源材料喷射至基板上;以及第二气体分配部分,其经配置以将具有大于所述至少两种源材料的分解温度平均值的分解温度的源材料喷射至该基板上,其中该第一气体分配部分分隔成至少两个区段且经安置以使得该第二气体分配部分定位于该至少两个区段之间;且所述至少两个区段彼此可耦接且可分离。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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