[发明专利]研磨头区域边界平滑化有效
| 申请号： | 201080003356.0 | 申请日： | 2010-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN102227803A | 公开（公告）日： | 2011-10-26 |
| 发明（设计）人： | 陈宏志;塞缪尔·楚-江·许;高塔姆·丹达瓦特;丹尼斯·M·库索 | 申请（专利权）人： | 应用材料股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;H01L21/683 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;王金宝 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供用于基材的化学机械研磨的方法与设备，并且尤其是涉及用于化学机械研磨的承载头的方法与设备。在一实施例中，提供的承载头组件包含：基部组件，设以提供用于基材的支撑；挠性膜，被装设在所述基部组件上且具有大致圆形的中心部分，所述中心部分具有提供基材装设表面的下表面；及多个能独立加压的腔室，其形成在所述基部组件与所述挠性膜之间，所述多个能独立加压的腔室包含环状外腔室及非圆形内腔室。 | ||
| 搜索关键词： | 研磨 区域 边界 平滑 | ||
【主权项】：
一种能绕着中心线旋转以用于基材的化学机械研磨的承载头组件，该承载头组件包含：基部组件，设以提供用于所述基材的支撑；挠性膜，被装设在所述基部组件上且具有大致圆形的中心部分，所述中心部分具有提供用于基材的装设表面的下表面；及多个能独立加压的腔室，其形成在所述基部组件与所述挠性膜之间，所述多个能独立加压的腔室包含：环状外腔室；及非圆形内腔室。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
