[发明专利]半导体装置及其制造方法无效
| 申请号： | 201080003201.7 | 申请日： | 2010-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN102217070A | 公开（公告）日： | 2011-10-12 |
| 发明（设计）人： | 林将志;桥本浩一;安达和广 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/316;H01L21/318;H01L21/3205;H01L21/336;H01L21/768;H01L23/52;H01L23/522;H01L29/12;H01L29/78 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的半导体装置具有半导体元件区域(17)和保护环区域(18)，其中半导体元件区域(17)配置于碳化硅层(3)的一部分，保护环区域(18)配置于从与碳化硅层(3)的主面相垂直的方向看、在碳化硅层(3)中包围半导体元件区域(17)的区域，该半导体装置包含：在碳化硅层(3)的半导体元件区域(17)及保护环区域(18)的主面上形成的相对介电常数为20以上的层间绝缘膜10；保护环区域(18)中的层间绝缘膜(10)上形成的第1保护绝缘层(14)；第1保护绝缘层(14)上形成的第2保护绝缘层(15)，第1保护绝缘层(14)的线膨胀系数是在构成第2保护绝缘层(15)的材料的线膨胀系数和构成层间绝缘膜(10)的材料的线膨胀系数之间。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其具有半导体元件区域和保护环区域，其中所述半导体元件区域配置于碳化硅层的一部分，所述保护环区域配置于从与所述碳化硅层的主面相垂直的方向看、在所述碳化硅层中包围所述半导体元件区域的区域，所述半导体装置的特征在于，包括：在所述碳化硅层的半导体元件区域及所述保护环区域的所述主面上形成的相对介电常数为20以上的层间绝缘膜；在所述保护环区域的所述层间绝缘膜上形成的第1保护绝缘层；和在所述第1保护绝缘层上形成的第2保护绝缘层，其中，所述第1保护绝缘层的线膨胀系数是在构成所述第2保护绝缘层的材料的线膨胀系数和构成所述层间绝缘膜的材料的线膨胀系数之间。
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