[发明专利]结晶膜的制造方法及制造装置无效
| 申请号： | 201080001857.5 | 申请日： | 2010-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN102067285A | 公开（公告）日： | 2011-05-18 |
| 发明（设计）人： | 富樫陵太郎;井波俊夫;草间秀晃;河上徹太郎 | 申请（专利权）人： | 株式会社日本制钢所 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L21/336;H01L29/786 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 张鑫;胡烨 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明在使非晶膜进行晶化时，可以均匀高效地制作细微的结晶。向位于基板(6)的上层的非晶膜(非晶硅膜(6a))照射510～540nm的可见波长范围的连续振荡激光(1a)，将所述非晶膜加热至不超过熔点的温度，使该非晶膜进行晶化。连续振荡激光优选功率密度为55～290kW/cm2、短轴宽度为100μm以下，进一步优选将连续振荡激光相对地以扫描速度50～1000mm/秒进行扫描。可以从非晶膜高效地制作晶粒直径的偏差较小的细微的结晶膜而不使基板损坏。 | ||
| 搜索关键词： | 结晶 制造 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种结晶膜的制造方法，其特征在于，向位于基板的上层的非晶膜照射510至540nm的可见波长范围的连续振荡激光，将所述非晶膜加热至不超过熔点的温度，使该非晶膜进行晶化。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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